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| ↓↓ 存储FLASH 的 写问题 | 回复数:4,点击数:158 |
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【楼主位】 jishanlaike 阿弱 积分:317 派别: 等级:------ 来自:MyMCU_Kingdom |
我在用M25P16,手册上说编程之前要先擦出,编程之后就不能再编程了
现在的问题是:如果某字节我写了0xFE(最低位==0), 现在想把别的位 在不做SECTOR擦除的情况下 也编程为0,例如0XFC,0X8E等, 也就是说:1)。某字节为0XFF 2)。编程为0xFE 3)。不擦出这个字节 4)。继续把该字节编程为0xFC 是否可以呢? 按照手册的意思好像要在3)。步时擦除一下。 |
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【1楼】 bynce 罗曼 积分:1206 派别: 等级:------ 来自: |
FLASH写之前是必须擦除的。
按你写是可以的。你怎么能够保证2)和4)这样的数据关系那? |
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【2楼】 jishanlaike 阿弱 积分:317 派别: 等级:------ 来自:MyMCU_Kingdom |
bynce 罗曼:
有没有大容量的存储器,但可以擦除的范围小点的? M25PXX系列一次最小擦除都512k字节,不方便数据的更改了,哪怕更改 1 位,都要都数据做大范围的动作(先擦除,再重写),太麻烦了,哎! |
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【3楼】 bynce 罗曼 积分:1206 派别: 等级:------ 来自: |
M45PE16 M25PE AT45DB321D | ||
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【4楼】 jishanlaike 阿弱 积分:317 派别: 等级:------ 来自:MyMCU_Kingdom |
好啊,有没有和M25P32相同封装的,晕,板子已经做好了,哎 | ||
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